О компании

ООО «Научно-производственное предприятие «Инжект» является одним из ведущих предприятий России, которое проводит исследования и разработки критических микроэлектронных лазерных технологий и серийно выпускает высокотехнологичную продукцию мирового технического уровня - полупроводниковые лазеры, суперлюминесцентные диоды, фотодиоды, сверхяркие светоизлучающие диоды красного и голубого свечения и др., а также оригинальные оптико-электронные приборы на их основе. Предприятие «Инжект» обладает полным технологическим циклом изготовления лазерных полупроводниковых излучателей, начиная с изготовления полупроводниковых подложек от эпитаксиального выращивания слоев полупроводниковых структур до планарной, сборочной, измерительной и испытательной линий, используя в производстве отечественные материалы.

Продукция экспортируется в Великобританию, США, Японию, Израиль, Корею, ФРГ, КНР, Болгарию и др. страны.

    Основные этапы исследований и конструкторских разработок ООО НПП «ИНЖЕКТ»
  • Январь 1973
    Создание лаборатории полупроводниковой квантовой электроники в ОКБ при Саратовском заводе приемно-усилительных ламп.
  • Декабрь 1973
    Начало полного цикла серийного производства первых импульсных лазерных диодов ближнего ИК диапазона спектра – 800-900нм на гетероструктурах, выращенных на предприятии методом жидкофазной эпитаксии.
  • 1974
    Начало серийного производства нескольких новых типов лазерных диодов.
  • 1974 – 1980
    Выполнение серии НИОКР, направленных на усовершенствование технологии производства лазерных диодов (ЛД), и достижение в результате 5-10-кратного увеличения срока службы и 1,5-кратного снижение себестоимости выпускаемых изделий.
  • 1982
    Освоение в серийном производстве ЛД непрерывного режима работы на основе GaAs/GaAlAs гетероструктур.
  • 1984
    Разработка технологии эпитаксиального выращивания импульсных ЛД на основе AlGaSbAs/GaSb гетероструктур.
  • 1985
    Исследование причин деградации ЛД и разработка высоконадежных ЛД с увеличенным ресурсом работы в непрерывном режиме до 50 000 час.
  • 1984 – 1992
    Разработка и производство серии ЛД, торцевых светоизлучающих (СИД) и суперлюминесцентных (СЛД) излучающих модулей с выводом излучения через многомодовый и одномодовый световод для волоконно-оптических линий связи, волоконно-оптических датчиков, гироскопов и др.
  • 1991
    Начало экспорта продукции в Швейцарию, Германию, Австралию, Болгарию.
  • 1996 – 2002
    Разработка и производство мощных ЛД линеек и 2-х мерных наборных ЛД решеток квазинепрерывного режима работы для накачки твердотельных лазеров с плотностью оптической мощности > 1000Вт/см2.
  • 1999
    Разработка и поставки суперлюминесцентых излучающих модулей для нано-метрического интерферометрического контрольно-измерительного прибора “Ультрафокус-2000” юстировки объектива установки фотолитографии фирмы Ultratech Stepper, Inc.,США, удостоенного приза конкурса “100 наград за научные исследования и конструкторские разработки” журнала R&D Magazine, США в 1999г.
  • 1999
    Разработка совместно с фирмой LIMO (Германия) и начало производства лазерного диода непрерывного режима работы с выводом излучения через многомодовый световод с мощностью оптического излучения 1Вт - ЛМ3-850-1000 с диаметром сердцевины 50 мкм, числовой апертурой 0,20 для применения в печатающих устройствах, оптических датчиках, медицине.
  • 2001
    Разработка и производство компактных лазеров с диодной накачкой твердотельных микрочипов, в том числе с внутрирезонаторным удвоением частоты, излучающих в зеленом диапазоне спектра (l=531 нм).
  • 2002
    Разработка и начало производства: - наборных ЛД излучателей с кондуктивным охлаждением импульсного режима работы с мощностью излучения 1 кВ с длительностью импульса 1 мкс
    - высокочастотного фотоприемного модуля (~7-10 ГГц) для волоконно-оптических линий связи.
    - источников питания ЛД и суперлюминесцентных диодов импульсного и непрерывного режима работы.
  • 2002 – 2004
    Разработка и начало серийного производства наборных ЛД решеток квазинепрерывного и импульсного режима работы с мощностью излучения 1250Вт со встроенным ТЭ охладителем, с коллимирующей оптикой с длительностью импульса до 500 мкс для осветителей и дальномеров.
  • 2004
    Разработки и начало производства новых видов ЛД излучателей ближнего ИК диапазона спектра для подсветки приборов ночного видения, систем машинного видения, оптоэлектронных датчиков и охранных систем, оптического измерительного оборудования и научных исследований.
  • 2005
    Разработки и производство суперлюминесцентных диодов и лазеров с красным спектром излучения (630-670нм).

Разработки и производство мощных импульсных ЛД с красным спектром излучения (630-670нм) и выпуск образцов красных лазерных диодов с длиной волны 631нм и разработка светоизлучающих диодов голубого свечения из гетероструктур на нитриде галлия с длиной волны излучения 457 нм с индивидуальной адресацией.

 

 
2006 © Copyright Инжект. Все права защищены.